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韓國(guó)首爾2026年1月28日 /美通社/ -- 韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry近日宣布，其第四代200V高壓0.18微米BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工藝已正式推出，并將與國(guó)內(nèi)外主要客戶啟動(dòng)全面的產(chǎn)品開發(fā)，目標(biāo)是在年內(nèi)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
隨著汽車電氣化與人工智能數(shù)據(jù)中心擴(kuò)張的持續(xù)加速，市場(chǎng)對(duì)高壓、高效率功率半導(dǎo)體的需求正迅速增長(zhǎng)。特別是汽車電氣架構(gòu)正從12V系統(tǒng)向48V系統(tǒng)過渡，而人工智能服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心則將工作電壓從380V直流電提升至高達(dá)800V直流電，以實(shí)現(xiàn)功率效率和密度的最大化。在此背景下，具備可靠且能承受100V以上高電壓并實(shí)現(xiàn)高效功率控制能力的工藝技術(shù)的重要性愈發(fā)凸顯。
SK keyfoundry新推出的第四代200V高壓0.18微米BCD工藝，與上一代工藝相比，Rsp（比導(dǎo)通電阻）和BVDSS（擊穿電壓）均提升了20%以上，體現(xiàn)了功率效率的提升和高溫下的穩(wěn)定性增強(qiáng)。此外，該工藝針對(duì)每個(gè)工作電壓優(yōu)化了低導(dǎo)通電阻器件，最大限度地減少了芯片面積和功率損耗，從而提升了整體工藝競(jìng)爭(zhēng)力。值得注意的是，該工藝提供了多層厚金屬間 電介質(zhì)(Thick IMD)選項(xiàng)，可在采用BCD和高壓MOSFET技術(shù)的高壓、大電流電源管理集成電路(PMIC)器件之間，安全傳輸數(shù)字信號(hào)，同時(shí)阻斷不必要的高壓和噪聲。它還支持廣泛的嵌入式存儲(chǔ)選項(xiàng)，包括SRAM、ROM、MTP和OTP，以及用于精密電機(jī)控制的霍爾傳感器，進(jìn)一步拓展了高壓IC的設(shè)計(jì)靈活性。
SK keyfoundry的新工藝可應(yīng)用于開發(fā)多種產(chǎn)品，包括高壓電源管理和轉(zhuǎn)換IC、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動(dòng)器和電源柵極驅(qū)動(dòng)器。最重要的是，該工藝符合嚴(yán)格的汽車可靠性認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q100 Grade 0，使其能夠直接應(yīng)用于即使在極端工作條件下也需要高可靠性的汽車電子元件。
SK keyfoundry首席執(zhí)行官Derek D. Lee表示："隨著AI服務(wù)器和汽車電子系統(tǒng)對(duì)功率的需求不斷增加，市場(chǎng)對(duì)超過100V的BCD工藝的需求也在迅速增長(zhǎng)。特別是考慮到能夠提供基于體硅的高壓BCD工藝的晶圓代工廠數(shù)量有限，我們200V高壓0.18微米BCD工藝的量產(chǎn)是一個(gè)具有重要意義的里程碑。我們計(jì)劃根據(jù)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)不斷變化的客戶需求，持續(xù)推進(jìn)我們的工藝技術(shù)發(fā)展。"
